VCSEL单模垂直腔面发射激光器

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VCSEL单模垂直腔面发射激光器低功耗芯片GaAs 894.6 nm 0.2mW

包装: 裸片芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器激光波长: 894.6 nm 辐射剖面: 单模 ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。

产品型号	产品名称	产品规格	询价单
V00140-Group1	VCSEL单模垂直腔面发射激光器 GaAs 低功耗芯片 894.6nm 0.2mW (Ta=60±10°C)	垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。